采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA62EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2007UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4621pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：305mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@20V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW11N80C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW11N80C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@20V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA62EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2007UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4621pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2007UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4621pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：305mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
