品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ50N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4335pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH50N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4335pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ50N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4335pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH50N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4335pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:5960pF@40V
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:75A
栅极电荷:85nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:146W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ50N50P3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:120mΩ@25A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
功率:960W
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
输入电容:4335pF@25V
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":10435}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW11N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60X,S1F
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:3.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: