采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：13.8A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4936NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3044pF@15V
连续漏极电流：11.6A€79A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：887，"20+"：1156，"MI+"：599}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2782pF@12V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD42DP15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.1nF@75V
连续漏极电流：1.7A€9A
类型：1个P沟道
导通电阻：420mΩ@8.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：7.2A
类型：N-Channel
导通电阻：45mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1161}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9410L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5500，"16+"：545，"17+"：28682，"18+"：52000，"19+"：190000，"22+"：4500，"MI+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N04S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：7.2A
类型：N-Channel
导通电阻：45mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N-Channel
导通电阻：400mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD42DP15LMATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.1nF@75V
连续漏极电流：1.7A€9A
类型：1个P沟道
导通电阻：420mΩ@8.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@75V
连续漏极电流：4.5A€27A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4500，"15+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4936NCT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3044pF@15V
连续漏极电流：11.6A€79A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD424
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：18A€45A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8462
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2660pF@20V
连续漏极电流：14A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@13.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
