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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@370µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@25V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@430mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP317PH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@370µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@25V

    连续漏极电流:430mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@430mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9214TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:104pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@190mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP92PH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP92PH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP92PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:104pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@260mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC600N25NS3GATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10110}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2625K4-G

    工作温度:-55℃~150℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.04nC@1.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,0V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS192PH6327FTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:104pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@190mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2425N8-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2425N8-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2425N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS139H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@56µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:14Ω@100µA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR692DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR692DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@125V

    连续漏极电流:24.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@10A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ16DN25NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ16DN25NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7090,"23+":12265,"24+":11750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,135 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,135 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP126,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:375mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7190ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7190ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@100V

    连续漏极电流:4.3A€14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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