品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@25V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@430mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@25V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@430mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:265mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@190mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10110}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP92PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@260mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10110}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10110}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2625K4-G
工作温度:-55℃~150℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.04nC@1.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,0V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@190mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2425N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS139H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1V@56µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:14Ω@100µA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7090,"23+":12265,"24+":11750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@5.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP126,135
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:375mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@300mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@100V
连续漏极电流:4.3A€14.4A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@4.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: