采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：665，"19+"：926，"MI+"：615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL190N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1610pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：17100，"23+"：810，"MI+"：540}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL03N150CG
工作温度：150℃
功率：2.5W€140W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30，"23+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL03N150CG
工作温度：150℃
功率：2.5W€140W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2572
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：458}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP190N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1610pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：87，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@11A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2572
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：17100，"23+"：810，"MI+"：540}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL03N150CG
工作温度：150℃
功率：2.5W€140W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP190N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1610pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：87，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@11A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL190N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1610pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：458}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP190N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1610pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL190N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1610pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30，"23+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL03N150CG
工作温度：150℃
功率：2.5W€140W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：17100，"23+"：810，"MI+"：540}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL03N150CG
工作温度：150℃
功率：2.5W€140W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
