品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":665,"19+":926,"MI+":615}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA80N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3040pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N10S305AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXKN75N60C
工作温度:-40℃~150℃
功率:560W
阈值电压:3.9V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:500nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@50A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0045065J1
工作温度:-40℃~150℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@4.84mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1621pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@17.6A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":213}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HGTG11N120CND
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:180ns
反向恢复时间:70ns
关断损耗:1.3mJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:100nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.4V@15V,11A
导通损耗:950µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIKW50N65DF5XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:156ns
关断损耗:140µJ
开启延迟时间:21ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:1018nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:490µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N60APBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":206}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":296,"14+":18500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N04S204AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@18V
包装方式:管件
输入电容:707pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":14000,"91+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFSL8403
工作温度:-55℃~175℃
功率:99W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3183pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IKY40N120CH3XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:280ns
反向恢复时间:350ns
关断损耗:1.3mJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:190nC
集电极电流(Ic):2.35V@15V,40A
导通损耗:2.18mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP190N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3225pF@25V
连续漏极电流:20.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1018pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGW100N60H3FKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:265ns
关断损耗:1.9mJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:625nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,100A
导通损耗:3.7mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120JDQ3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":957,"15+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R7-60E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6230pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":80950,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":16500,"22+":5040}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU8P10TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IKW75N65ES5XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:144ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:950µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:164nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.75V@15V,75A
导通损耗:2.4mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: