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    ECCN: EAR99
    包装方式: 管件
    行业应用: 工业
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:500+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10J80E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS-1E 起订144个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS-1E 起订144个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4099LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:750pF@30V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:3.7V@3.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@300V

    连续漏极电流:61.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@30.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:3.7V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订74个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订74个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":17001}

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:465mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN IGBT SLA5227 起订1个装
    SANKEN IGBT SLA5227 起订1个装

    品牌:SANKEN

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):18psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SLA5227

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极截止电流(Ices):600V

    工作温度:150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT TIG056BF-1E 起订300个装
    onsemi IGBT TIG056BF-1E 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"23+":29850,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TIG056BF-1E

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):240A

    关断延迟时间:140ns

    开启延迟时间:46ns

    集电极截止电流(Ices):430V

    集电极电流(Ic):5V@15V,240A

    工作温度:150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL09N150CG 起订60个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL09N150CG 起订60个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":30,"22+":60}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDUL09N150CG

    工作温度:150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2025pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@3A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订573个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订573个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":721}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3707-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€25W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024KNXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024KNXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024KNXC7G

    工作温度:150℃

    功率:74W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5014DPP-E0#T2 起订67个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5014DPP-E0#T2 起订67个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:200W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10000pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4198FS 起订526个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4198FS 起订526个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4198FS

    工作温度:150℃

    功率:2W€30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订106个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK040N65Z,S1F

    工作温度:150℃

    功率:360W

    阈值电压:4V@2.85mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6250pF@300V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@28.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SJ661-1E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SJ661-1E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":46,"23+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ661-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@20V

    连续漏极电流:38A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 TIP121TU 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 TIP121TU 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"21+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TIP121TU

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):5A

    功率:2W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4150pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4198FS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4198FS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4198FS

    工作温度:150℃

    功率:2W€30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN 达林顿管 SMA6010 起订108个装
    SANKEN 达林顿管 SMA6010 起订108个装

    品牌:SANKEN

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):18psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SMA6010

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:4W

    集电集截止电流(Icbo):100µA

    特征频率:75MHz

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@6mA,3A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDW94CFTU 起订100个装
    onsemi 达林顿管 BDW94CFTU 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDW94CFTU

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):12A

    功率:80W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@100mA,10A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@5A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30,"23+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6011ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN 达林顿管 SMA4030 起订540个装
    SANKEN 达林顿管 SMA4030 起订540个装

    品牌:SANKEN

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):180psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SMA4030

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):3A

    功率:4W

    集电集截止电流(Icbo):10µA

    特征频率:40MHz

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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