采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：25500，"18+"：25357，"19+"：27000，"9999"：1465，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@500V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@940mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9620GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：25500，"18+"：25357，"19+"：27000，"9999"：1465，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@500V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@940mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC1R5CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：79，"20+"：1400，"22+"：40500，"23+"：42000}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPSA70R2K0P7SAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：17.6W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@400V
包装方式：管件
输入电容：130pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9620GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：623}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：23400，"14+"：2400，"17+"：2475}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：623}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：79，"20+"：1400，"22+"：40500，"23+"：42000}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPSA70R2K0P7SAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：17.6W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@400V
包装方式：管件
输入电容：130pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：25500，"18+"：25357，"19+"：27000，"9999"：1465，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@500V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@940mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9620GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9620GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF3N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：705pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：23400，"14+"：2400，"17+"：2475}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：25500，"18+"：25357，"19+"：27000，"9999"：1465，"MI+"：1500}
规格型号(MPN)：IPS80R2K0P7AKMA1
栅极电荷：9nC@10V
导通电阻：2Ω@940mA，10V
功率：24W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：175pF@500V
连续漏极电流：3A
包装方式：管件
阈值电压：3.5V@50µA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
