采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
漏源电压：75V
导通电阻：6mΩ@80A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：16A€80A
输入电容：5150pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1991，"19+"：15300，"22+"：1018，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
连续漏极电流：54A
导通电阻：77mΩ@27A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：164nC@10V
漏源电压：650V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"03+"：1445，"04+"：1534，"05+"：44100，"06+"：30270，"07+"：230625，"08+"：139，"10+"：3000，"9999"：4900，"MI+"：11653}
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD60N02R-1G
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：14nC@4.5V
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：8.5A€32A
功率：1.25W€58W
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"23+"：900，"MI+"：450}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：FGH40N120ANTU
集电极脉冲电流(Icm)：160A
开启延迟时间：15ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC
关断延迟时间：110ns
集电极电流(Ic)：3.2V@15V，40A
类型：NPT
导通损耗：2.3mJ
包装方式：管件
关断损耗：1.1mJ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
漏源电压：75V
导通电阻：6mΩ@80A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：16A€80A
输入电容：5150pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"21+"：343}
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
开启延迟时间：44ns
导通损耗：307µJ
栅极电荷：128nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
关断延迟时间：276ns
类型：沟槽型场截止
ECCN：EAR99
反向恢复时间：76ns
工作温度：-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices)：650V
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断损耗：266µJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：195W
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：800V
输入电容：2350pF@1000V
ECCN：EAR99
阈值电压：4.5V@1.1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
生产批次：{"22+"：19350，"MI+"：1350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL095N65S3HF
导通电阻：95mΩ@18A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@860µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
功率：272W
漏源电压：650V
连续漏极电流：36A
包装方式：管件
输入电容：2930pF@400V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TIP121G
集电极电流(Ic)：5A
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
工作温度：65℃~150℃
包装方式：管件
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V
集电集截止电流(Icbo)：500µA
功率：2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：316}
规格型号(MPN)：FQA27N25
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：2450pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：250V
导通电阻：110mΩ@13.5A，10V
包装方式：管件
功率：210W
连续漏极电流：27A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：590，"08+"：3075}
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
功率：1.28W€50W
连续漏极电流：9A€54A
导通电阻：10mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：1225pF@12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：3908，"09+"：10547}
规格型号(MPN)：NTD4813NH-35G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13mΩ@30A，10V
输入电容：940pF@12V
包装方式：管件
连续漏极电流：7.6A€40A
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：1.27W€35.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：5960pF@40V
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
栅极电荷：85nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
功率：146W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：2.5W€49W
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
栅极电荷：19nC@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75842P3
连续漏极电流：43A
功率：230W
栅极电荷：175nC@20V
类型：N沟道
输入电容：2730pF@25V
导通电阻：42mΩ@43A，10V
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：NTP150N65S3HF
导通电阻：150mΩ@12A，10V
功率：192W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：5V@540µA
漏源电压：650V
包装方式：管件
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
栅极电荷：43nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"13+"：8640，"9999"：20}
规格型号(MPN)：NGTG30N60FLWG
工作温度：-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices)：600V
关断损耗：280µJ
导通损耗：700µJ
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：83ns
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，30A
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：170ns
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：31125，"17+"：1650}
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
功率：114W
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP2572
栅极电荷：34nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：54mΩ@9A，10V
功率：135W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"23+"：3150，"24+"：900}
规格型号(MPN)：FGY75T120SQDN
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，75A
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
关断延迟时间：332ns
类型：场截止
工作温度：-55℃ ~ 175℃
关断损耗：1.96mJ
开启延迟时间：64ns
栅极电荷：399nC
集电极脉冲电流(Icm)：300A
反向恢复时间：99ns
导通损耗：6.25mJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"22+"：14680，"23+"：2730，"9999"：60}
规格型号(MPN)：NGTB15N120FL2WG
反向恢复时间：110ns
类型：沟槽型场截止
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：109nC
ECCN：EAR99
关断损耗：370µJ
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，15A
工作温度：-55℃ ~ 175℃
集电极脉冲电流(Icm)：60A
开启延迟时间：64ns
导通损耗：1.2mJ
包装方式：管件
关断延迟时间：132ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
输入电容：8000F@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：270nC@10V
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：47A
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"13+"：8640，"9999"：20}
规格型号(MPN)：NGTG30N60FLWG
工作温度：-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices)：600V
关断损耗：280µJ
导通损耗：700µJ
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：83ns
集电极电流(Ic)：1.9V@15V，30A
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：170ns
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：450}
规格型号(MPN)：NTHL040N65S3HF
连续漏极电流：65A
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@2.1mA
输入电容：5945pF@400V
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
ECCN：EAR99
栅极电荷：159nC@10V
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"17+"：32040，"18+"：120600，"22+"：1080，"MI+"：1800}
规格型号(MPN)：SGF23N60UFTU
工作温度：-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices)：600V
ECCN：EAR99
关断损耗：135µJ
导通损耗：115µJ
关断延迟时间：60ns
集电极脉冲电流(Icm)：92A
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，12A
开启延迟时间：17ns
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL640A
功率：110W
导通电阻：180mΩ@5V，9A
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
输入电容：1.705nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：35835，"9999"：174，"MI+"：3762}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB30N135IHRWG
关断损耗：850µJ
类型：沟槽型场截止
关断延迟时间：250ns
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：2.65V@15V，30A
集电极脉冲电流(Icm)：120A
栅极电荷：234nC
集电极截止电流(Ices)：1350V
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDC
栅极电荷：139nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
类型：沟槽型场截止
关断损耗：1.11mJ
ECCN：EAR99
导通损耗：1.68mJ
关断延迟时间：107.2ns
工作温度：-55℃ ~ 175℃
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
集电极脉冲电流(Icm)：300A
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4370，"18+"：6684，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N90C
漏源电压：900V
导通电阻：1.9Ω@3.15A，10V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：60W
输入电容：2080pF@25V
包装方式：管件
连续漏极电流：6.3A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：6385，"16+"：13560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTG35N65FL2WG
集电极电流(Ic)：2V@15V，35A
关断损耗：280µJ
ECCN：EAR99
开启延迟时间：72ns
类型：场截止
集电极脉冲电流(Icm)：120A
工作温度：-55℃ ~ 175℃
栅极电荷：125nC
集电极截止电流(Ices)：650V
导通损耗：840µJ
包装方式：管件
关断延迟时间：132ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
