采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH230N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：650W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15300pF@25V
连续漏极电流：230A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：338，"22+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH230N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：650W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15300pF@25V
连续漏极电流：230A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：338，"22+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：338，"22+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH230N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：650W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15300pF@25V
连续漏极电流：230A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH160N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：880W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：245}
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：338，"22+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN063-650WSAQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R150CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：22.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN063-650WSAQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：245}
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH160N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：880W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20E60W5，S1VX
工作温度：150℃
功率：165W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：338，"22+"：4000}
规格型号(MPN)：FCP360N65S3R0
功率：83W
栅极电荷：18nC@10V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：360mΩ@5A，10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：管件
输入电容：730pF@400V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：300psc
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
输入电容：1500pF@400V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
导通电阻：41mΩ@32A，10V
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：管件
栅极电荷：22nC@10V
功率：187W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：47.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：300psc
规格型号(MPN)：GAN063-650WSAQ
功率：143W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：34.5A
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN063-650WSAQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN041-650WSBQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20N60W5，S1VF
功率：165W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@300V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF360N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
