采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK62N60W，S1VF
工作温度：150℃
功率：400W
阈值电压：3.7V@3.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@300V
连续漏极电流：61.8A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@30.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNXC7G
工作温度：150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：54340，"15+"：11，"16+"：349，"9999"：600，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4198FS
工作温度：150℃
功率：2W€30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.34Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：54340，"15+"：11，"16+"：349，"9999"：600，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4198FS
工作温度：150℃
功率：2W€30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.34Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：44800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：34.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：44800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：34.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：40650，"11+"：2819，"15+"：14077，"9999"：692，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：44800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：34.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：47186}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPK-M0#T0
工作温度：150℃
功率：227.2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：575mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：575mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31E60X，S1X
工作温度：150℃
功率：230W
阈值电压：3.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@9.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6055VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：543W
阈值电压：6.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3700pF@100V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@16A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25N60X5，S1F
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@300V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：40650，"11+"：2819，"15+"：14077，"9999"：692，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197FS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
