采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60X，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@9.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：446}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4125
工作温度：150℃
功率：2.5W€170W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK62N60W，S1VF
工作温度：150℃
功率：400W
阈值电压：3.7V@3.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@300V
连续漏极电流：61.8A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@30.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：1N60L
工作温度：150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：63000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP602-TL-H
工作温度：150℃
功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6024DPD-00#J2
工作温度：150℃
功率：27.2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.5pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：296，"16+"：25733}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNXC7G
工作温度：150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：54340，"15+"：11，"16+"：349，"9999"：600，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4198FS
工作温度：150℃
功率：2W€30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.34Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：54340，"15+"：11，"16+"：349，"9999"：600，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4198FS
工作温度：150℃
功率：2W€30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.34Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：120095，"16+"：25900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1458-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPB4002
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2200pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
