品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK650A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.16mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1320pF@300V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK650A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.16mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1320pF@300V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":1877}
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
栅极电荷:37.5nC@10V
工作温度:150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
输入电容:1450pF@25V
包装方式:管件
功率:30W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK650A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.16mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1320pF@300V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK650A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.16mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1320pF@300V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: