品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH410DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@10V
连续漏极电流:22A€35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@10V
连续漏极电流:4.5A€5.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2302CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8130pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@10V
连续漏极电流:4.5A€5.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@10V
连续漏极电流:4.5A€5.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@10V
连续漏极电流:4.5A€5.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2302CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A€4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: