品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.1A€5.3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1945pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62pF@10V
连续漏极电流:1A€1.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4403DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@10V
连续漏极电流:15.4A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2565pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1945pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@10V
连续漏极电流:4A€5.3A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2377EDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.7A€4.4A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:5.2A€6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W€1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3.9A€2.1A
类型:N和P沟道
导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:5.97A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62pF@10V
连续漏极电流:1A€1.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:5.2A€6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: