采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
