销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

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输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

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功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

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功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

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输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.7W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3

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功率：2.7W

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栅极电荷：9nC

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类型：MOSFET

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漏源电压：20V

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.7W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.7W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3

栅极电荷：9nC

连续漏极电流：4A

包装方式：Reel

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1.5V

导通电阻：90mΩ

漏源电压：20V

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

功率：2.7W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

栅极电荷：168nC@8V

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1V@250μA

漏源电压：20V

输入电容：5.875nF@10V

ECCN：EAR99

类型：1个P沟道

功率：1.5W€2.2W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

栅极电荷：168nC@8V

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：1V@250μA

漏源电压：20V

输入电容：5.875nF@10V

ECCN：EAR99

类型：1个P沟道

功率：1.5W€2.2W

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2315

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：1个N沟道+1个P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2315

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW

阈值电压：1.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：38pF@10V

连续漏极电流：700mA€500mA

类型：1个N沟道+1个P沟道

导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3443DDV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.7W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1016X-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250mW

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：750pC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：485mA€370mA

类型：1个N沟道+1个P沟道

导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.5W€2.2W

阈值电压：1V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：168nC@8V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.875nF@10V

连续漏极电流：12.5A€10.3A

类型：1个P沟道

导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1