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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:5400+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1427EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:21nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615CDN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615CDN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:63nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3860pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA938DJT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA938DJT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA938DJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€7.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4403DDY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4403DDY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4403DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@10V

    连续漏极电流:15.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3 起订37个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1034CX-T1-GE3 起订37个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1034CX-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:610mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA923EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@10V

    连续漏极电流:4A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:97nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8130pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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