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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W€860mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A€3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：19nC@4.5V
连续漏极电流：3.7A
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.02nF@10V
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
功率：750mW
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：43pF@10V
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：396mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
栅极电荷：168nC@8V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：5.875nF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
功率：1.5W€2.2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
栅极电荷：168nC@8V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：5.875nF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
功率：1.5W€2.2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€2.2W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.875nF@10V
连续漏极电流：12.5A€10.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.8mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4nC@8V
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：790mΩ@1.8V，250mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：112mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：216mΩ@4.5V，1.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：1个P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：750pC@4.5V
连续漏极电流：485mA€370mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1016X-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：750pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA€370mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19nC@4.5V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：39mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
