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    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:50+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订数15个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订数15个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数250个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数250个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订数12000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订数12000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:57mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.9A

    功率:710mW

    导通电阻:57mΩ@4.5V,3.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    功率:13.6W

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    输入电容:525pF@10V

    栅极电荷:8nC@4.5V

    连续漏极电流:7.8A

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:1.1V@250μA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数250个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2302CDS-T1-GE3 起订数250个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.9A

    功率:710mW

    导通电阻:57mΩ@4.5V,3.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA410CEJW-T1_GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA410CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:525pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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