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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA413CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQA413CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQA413CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQA413CEJW-T1_GE3
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功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
阈值电压：1V
栅极电荷：19.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：1V
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包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
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类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
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功率：13.6W
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输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
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功率：13.6W
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栅极电荷：16nC@4.5V
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连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，4.5V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.29W
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包装方式：Reel
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类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
漏源电压：20V
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栅极电荷：16nC@4.5V
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类型：1个P沟道
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工作温度：-55℃~+150℃
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类型：MOSFET
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：16nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIA4263DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
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栅极电荷：19.8nC
包装方式：Reel
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类型：MOSFET
导通电阻：19.9mΩ
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包装清单：商品主体 * 1
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