品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:93.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€33W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€33W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€33W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:93.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€33W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€33W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93.8nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@1V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: