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    品牌: VISHAY
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5442DU-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5442DU-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5442DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5442DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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