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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.6W(Ta),3.3W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:45 nC @ 8 V

    输入电容:1300 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:38 毫欧 @ 5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:568mW(Ta)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    栅极电荷:4.5 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:1.4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:568mW(Ta)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    栅极电荷:4.5 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:1.4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1403BDL-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:568mW(Ta)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    栅极电荷:4.5 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:1.4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:150 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订数42000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订数42000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W(Ta)

    阈值电压:1.4V @ 250µA

    栅极电荷:9 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:3.6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:60 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1825 pF @ 10 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.4W(Ta),17.9W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:45 nC @ 8 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300 pF @ 10 V

    连续漏极电流:12A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:33 毫欧 @ 5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.6W(Ta),3.3W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:45 nC @ 8 V

    输入电容:1300 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:38 毫欧 @ 5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:800mV @ 850µA

    栅极电荷:125 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:10A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:8.75 毫欧 @ 14A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.14W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 10 V

    连续漏极电流:5A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.25W(Ta),2.5W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:25 nC @ 4.5 V

    输入电容:1090 pF @ 10 V

    连续漏极电流:4.6A(Ta),6A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:800mV @ 850µA

    栅极电荷:125 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:10A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:8.75 毫欧 @ 14A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:800mV @ 850µA

    栅极电荷:125 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:10A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:8.75 毫欧 @ 14A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4421DY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:800mV @ 850µA

    栅极电荷:125 nC @ 4.5 V

    连续漏极电流:10A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:8.75 毫欧 @ 14A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1 起订21000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8499DB-T2-E1 起订21000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1

    输入电容:1300 pF @ 10 V

    类型:P 通道

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:30 nC @ 5 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.77W(Ta),13W(Tc)

    漏源电压:20V

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A(Tc)

    导通电阻:32 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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