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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W（Ta）
阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：9 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：3.6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：60 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.8W
阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.8W
阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.8W
阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.4V @ 250µA
漏源电压：20V
类型：2 个 P 沟道（双）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
功率：7.8W
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阈值电压：1.4V @ 250µA
漏源电压：20V
类型：2 个 P 沟道（双）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
功率：7.8W
包装清单：商品主体 * 1
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