首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: VISHAY
    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 50A
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE822DF-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE822DF-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE822DF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE822DF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS23DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8840pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:310nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9080pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧