品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS23DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8840pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:310nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9080pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: