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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
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功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
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输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
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功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
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功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
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功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-E3
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功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
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功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-GE3
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功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
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功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
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功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
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功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
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功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8823EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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