品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
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连续漏极电流:16A
类型:P沟道
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行业应用:工业,汽车
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连续漏极电流:16A
类型:P沟道
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类型:P沟道
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类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
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类型:P沟道
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功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
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类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
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功率:2.77W€13W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
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连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8406DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:20nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
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功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
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连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
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连续漏极电流:16A
类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8406DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:20nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8406DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:850mV@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
功率:2.77W€13W
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:16A
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: