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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
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功率：710mW
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连续漏极电流：2.6A
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规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-E3
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连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
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连续漏极电流：2.6A
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连续漏极电流：2.6A
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连续漏极电流：2.6A
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功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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阈值电压：850mV@250µA
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连续漏极电流：2.9A
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漏源电压：20V
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连续漏极电流：2.6A
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连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-BE3
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功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-BE3
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功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-GE3
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功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-GE3
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功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
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连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-GE3
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功率：710mW
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连续漏极电流：2.9A
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漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2302CDS-T1-GE3
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功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
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连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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