首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    漏源电压
    类型
    行业应用
    反向传输电容
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 100V
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK1001DPN-E0#T2 起订94个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK1001DPN-E0#T2 起订94个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"31+":3363}

    包装规格(MPQ):78psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK1001DPN-E0#T2

    功率:200W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":17974}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:12.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@10V,13A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订50个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订50个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":13897,"23+":895}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:3.8V@275μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:208nC@10V

    输入电容:16nF@50V

    连续漏极电流:354A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2044 起订1000个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2044 起订1000个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2044

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€31W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.021nF@25V

    连续漏极电流:9A€2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:152mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2044 起订100个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2044 起订100个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2044

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":209}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:3.8V@275μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:208nC@10V

    输入电容:16nF@50V

    连续漏极电流:354A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":209}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:3.8V@275μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:208nC@10V

    输入电容:16nF@50V

    连续漏极电流:354A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC3612

    功率:35W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":13897,"23+":895}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:3.8V@275μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:208nC@10V

    输入电容:16nF@50V

    连续漏极电流:354A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC3612

    功率:35W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR010N10HZGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR010N10HZGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR010N10HZGTL

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:520mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86106 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86106 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86106

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:208pF@50V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:105mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧