采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R280CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：807pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：772}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
阈值电压：4.8V@500µA
类型：N沟道
连续漏极电流：13A
漏源电压：650V
功率：52W
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
输入电容：598pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
阈值电压：4.8V@500µA
类型：N沟道
连续漏极电流：13A
漏源电压：650V
功率：52W
ECCN：EAR99
输入电容：598pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"9999"：772}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1245pF@25V
漏源电压：650V
包装方式：管件
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
阈值电压：4.8V@500µA
类型：N沟道
连续漏极电流：13A
漏源电压：650V
功率：52W
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
输入电容：598pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
