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    4V@250μA 3.6V @ 5mA 4.5V 5V@1.5mA 4.5V@8mA 4V@1.48mA 6V@10mA 4.5V@3mA 4V 4.3V 5.6V@13.3mA 5V@4mA 3.6V 3.9V@1mA 4.5V@1.7mA 4.5V@1.2mA 5V@1mA 3V 5.6V@18.2mA 4V@1.1mA 4.5V@1mA 3.9V@2.7mA 4.5V@40μA 4V@700μA 5V 4V@3.9mA 5.6V@5mA 2.5V 4V@4.8mA 6V @ 10mA 4V@1.69mA 4.5V@140μA 3.5V@1.2mA 5V@1.7mA 5V@7.6mA 4.5V@1.9mA 5.7V 4V@2.1mA 4.5V@630μA 4.5V@900μA 5.7V@5mA 4V@2.8mA 4.5V@0.29mA 4V@1.02mA 4V@1.6mA 4.5V@2.4mA 4V@130μA 4.5V@740μA 5V@3.5mA 4.5V@1.1mA 5V@2.5mA 4V@1.27mA 4V@14.3mA 5V@2.1mA 4V@2.85mA 4.5V@1.4mA 5V@320μA 4.5V@1.3mA 5V@2mA 5.7V@6mA 4.5V@4.4mA 5V@3mA 3.5V@3mA 4V@360μA 5.6V@3.33mA 4.8V@1mA 5V@430µA 4V@2.03mA 4V@140µA 4.5V@2.12mA 3.5V@100µA 3.5V@320µA 4V@280µA 4V@250µA 4.5V@200µA 4.5V@730µA 4V@240µA 3.5V@250µA 5V@250µA 4.5V@340µA 3.5V@210µA 4.5V@400µA 3.5V@440µA 4.5V@250µA 5.7V@8.8mA 3.9V@675µA 3.5V@200µA 4V@290µA 3.9V@350µA 5.7V@3mA 4.5V@630µA 4.5V@900µA 3.5V@730µA 4V@590µA 4.5V@1.24mA 4.5V@240µA 4.5V@214.55µA 3.9V@250µA 4.5V@140µA 4V@440µA 4.3V@8mA 5V@860µA 4.5V@2.9mA 3.5V@180µA 4V@700µA 2.8V@500µA 4V@1.44mA 4V@2.92mA 4.5V@1.8mA 4.3V@15.5mA 2.6V@500µA 3.9V@500µA 3.5V@1.1mA 3.5V@690µA 5.7V@3.3mA 4.8V@700µA 5.7V@1.1mA 4.5V@760µA 4V@610µA 3.6V@9.22mA 4.5V@600µA 4.5V@3.3mA 5.7V@12.3mA 4V@850µA 4V@1.25mA 4.5V@820µA 3.6V@5mA 4.5V@2.91mA 4V@450µA 4.5V@480µA 5V@740µA 4.5V@700µA 3.9V@135µA 4.5V@320µA 5.7V@11mA 4.5V@300µA 4V@360µA 4.5V@490µA 5V@2.4mA 3.6V@4.84mA 5.7V@7.5mA 4.5V@1.79mA 5.7V@4mA 5V@540µA 4.5V@440µA 3.9V@1.2mA 4.5V@390µA 4.5V@7mA 3.6V@1.86mA 2.5V@12.2mA 3.5V@400µA 4.8V@500µA 4.3V@25mA 3.6V@15.5mA 4V@630µA 5V@300µA 3.5V@450µA 4V@430µA
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 650V
    当前匹配商品:500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A65W5,S5X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A65W5,S5X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A65W5,S5X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G
    UMW Mosfet场效应管 1N65G

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P65Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P65Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJMD990N65EC_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJMD990N65EC_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMD990N65EC_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:47.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:306pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P65Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P65Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF990N65EC_T0_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF990N65EC_T0_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF990N65EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:22.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:306pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P65Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380P65Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCP190N65F
    onsemi Mosfet场效应管 FCP190N65F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP190N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3225pF@25V

    连续漏极电流:20.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH067N65S3-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH067N65S3-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":80}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH067N65S3-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065L-TR
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065L-TR

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0120065L-TR

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:3.6V@1.86mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@400V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:157mΩ@6.76A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LSG-TR

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL025N065SC1
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL025N065SC1

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL025N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:348W

    阈值电压:4.3V@15.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:164nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:3480pF@325V

    连续漏极电流:99A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.5mΩ@45A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R070C7AUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:169W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG65R057M1HXTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG65R057M1HXTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:161W

    阈值电压:5.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@400V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@16.7A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN190-650FBEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN190-650FBEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@12.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:96pF@400V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.9A,6V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP095N65S3HF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP095N65S3HF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP095N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272W

    阈值电压:5V@860µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2930pF@400V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPWS65R050CFD7AXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPWS65R050CFD7AXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPWS65R050CFD7AXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.24mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4975pF@400V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@24.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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