品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0045065J1
工作温度:-40℃~150℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@4.84mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1621pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@17.6A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":206}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:5.7V@12.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2288pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@41.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP190N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3225pF@25V
连续漏极电流:20.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":80}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH067N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V@2.91mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11659pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@58.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1503pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065L-TR
工作温度:-40℃~175℃
功率:86W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R130C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:102W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@4.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH62N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:780W
阈值电压:4.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:99A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFDFKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:277.8W
阈值电压:4.5V@1.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3240pF@100V
连续漏极电流:31.2A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@12.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: