包装规格(MPQ)：480psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：500W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：266nC@10V

包装方式：散装

输入电容：5.858nF@100V

连续漏极电流：47A

类型：1个N沟道

导通电阻：73mΩ@22A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：85W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：217mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG060N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：46A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：133W

阈值电压：5.7V@5mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@18V

包装方式：管件

输入电容：930pF@400V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：74mΩ@16.7A，18V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：133W

阈值电压：5.7V@5mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@18V

包装方式：管件

输入电容：930pF@400V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：74mΩ@16.7A，18V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：85W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：217mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMW65R030M1HXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：197W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：48nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：42mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：85W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：217mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG060N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：46A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：11559，"23+"：13950，"MI+"：1350}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG060N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：46A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG060N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：46A

类型：MOSFET

导通电阻：70mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：85W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：217mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：480psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：500W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：266nC@10V

包装方式：散装

输入电容：5.858nF@100V

连续漏极电流：47A

类型：1个N沟道

导通电阻：73mΩ@22A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：480psc

规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3

输入电容：5.858nF@100V

类型：1个N沟道

漏源电压：650V

阈值电压：4V@250μA

连续漏极电流：47A

导通电阻：73mΩ@22A，10V

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：266nC@10V

功率：500W

ECCN：EAR99

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

栅极电荷：61nC

功率：148W

导通电阻：85mΩ

包装方式：Tube

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+175℃

连续漏极电流：38A

ECCN：EAR99

阈值电压：4.3V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：480psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：500W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：266nC@10V

包装方式：散装

输入电容：5.858nF@100V

连续漏极电流：47A

类型：1个N沟道

导通电阻：73mΩ@22A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：140W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：148W

阈值电压：4.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：61nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：85mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：190W

阈值电压：6V@10mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：51nC@15V

包装方式：管件

输入电容：1.5nF@100V

连续漏极电流：31A

类型：1个N沟道

导通电阻：111mΩ@20A，12V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：85W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：217mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：85W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：217mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：85W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：217mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：120}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：133W

阈值电压：5.7V@5mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@18V

包装方式：管件

输入电容：930pF@400V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：74mΩ@16.7A，18V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：133W

阈值电压：5.7V@5mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@18V

包装方式：管件

输入电容：930pF@400V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：74mΩ@16.7A，18V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：480psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：500W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：266nC@10V

包装方式：散装

输入电容：5.858nF@100V

连续漏极电流：47A

类型：1个N沟道

导通电阻：73mΩ@22A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：133W

阈值电压：5.7V@5mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@18V

包装方式：管件

输入电容：930pF@400V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：74mΩ@16.7A，18V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1