品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":498,"22+":236}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520ENXC7G
工作温度:150℃
功率:68W
阈值电压:4V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":498,"22+":236}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1807pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: