采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：27500，"20+"：17500，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1265}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCHD040N65S3-F155
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：4.74nF@400V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF360N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：4V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.96mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL070N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
输入电容：3.3nF@400V
连续漏极电流：44A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1265}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCHD040N65S3-F155
工作温度：-55℃~+150℃
功率：417W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
输入电容：4.74nF@400V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB099N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@740μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.48nF@400V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
