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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
输入电容：4.24nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1123，"21+"：9900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
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输入电容：1.2nF@12V
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类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12091，"23+"：3390，"MI+"：5000}
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功率：37W€2.1W
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栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
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连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1123，"21+"：9900}
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规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
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功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12091，"23+"：3390，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4.5V，400mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5.8A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD1D1N02X
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0204DPA-00#J53
连续漏极电流：50A
阈值电压：2.5V@1mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
ECCN：EAR99
输入电容：4.24nF@10V
栅极电荷：22nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：20000}
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
栅极电荷：88nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W€2.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@12V
连续漏极电流：40A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
