首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    漏源电压
    50V
    行业应用
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 50V
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138-G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138-G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KW-TP 起订3000个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KW-TP 起订3000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84KW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@5V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9010PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU9010PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU9010PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW€920mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AMPLEON Mosfet场效应管 C4H2327N110AZ 起订1个装
    AMPLEON Mosfet场效应管 C4H2327N110AZ 起订1个装

    品牌:AMPLEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C4H2327N110AZ

    功率:50V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:50V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKVL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKVL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKMB,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订13个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订13个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订14个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订14个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01S-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01S-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":51000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LN01S-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.6pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8Ω@50mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N05SM9A 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N05SM9A

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:72W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80 nC @ 20 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ20PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ20PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ20PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@10A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订3154个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订3154个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKMB,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138DW-7-F 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01SS-TL-E 起订4579个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01SS-TL-E 起订4579个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":76000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LN01SS-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.6pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8Ω@50mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LP01SS-TL-H 起订4579个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LP01SS-TL-H 起订4579个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":42464}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LP01SS-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.4pF@10V

    连续漏极电流:70mA

    类型:P沟道

    导通电阻:23Ω@40mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5HN01M-TL-H 起订1496个装
    onsemi Mosfet场效应管 5HN01M-TL-H 起订1496个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":222000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5HN01M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.2pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138KT-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22800pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5HP01M-TL-H 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 5HP01M-TL-H 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":21000,"12+":33875,"15+":204000,"16+":15000,"17+":57000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5HP01M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.2pF@10V

    连续漏极电流:70mA

    类型:P沟道

    导通电阻:22Ω@40mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA503T-T1-A 起订1149个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA503T-T1-A 起订1149个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA503T-T1-A

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@1μA

    ECCN:EAR99

    输入电容:17pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:60Ω@10mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SBSS84LT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 SBSS84LT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SBSS84LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@5V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LP01M-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LP01M-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":12000,"14+":42000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.4pF@10V

    连续漏极电流:70mA

    类型:P沟道

    导通电阻:23Ω@40mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KW-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KW-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84KW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@5V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05T116 起订30000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05T116 起订30000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUC002N05T116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K17FU,LF 起订16个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K17FU,LF 起订16个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K17FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@1µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@10mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧