采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW€920mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@300mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05HZGT116
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：51000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01S-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ20PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：76000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01SS-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5HN01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.2pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD020PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.4A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BK-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@30V
连续漏极电流：590mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：57000，"14+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：57000，"14+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@300mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@300mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
