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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7588，"23+"：40000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：12A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：12.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10945，"24+"：3622}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10945，"24+"：3622}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5550，"22+"：2500，"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7716ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：846pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：12.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：12.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4134DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：846pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：12.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：12.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7716ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：846pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€27.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€27.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：59264，"07+"：7328，"08+"：8095，"10+"：7232，"11+"：190，"13+"：7175，"14+"：10458，"MI+"：1614}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.65mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€27.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4855}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：12A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
