品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K5R1-30E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2352pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9858}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0905PNSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:1.9V@105µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":571,"19+":149}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP6030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87353Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K5R1-30EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3065pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.3mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K5R1-30E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2352pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9858}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0905PNSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:1.9V@105µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K5R6-30E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87350Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.9mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€36W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€36W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7139DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87350Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.9mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K5R1-30E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2352pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87350Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.9mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: