品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":37,"22+":5000,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4081}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K5R1-30E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2352pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S53R1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:3.4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9858}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0905PNSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:1.9V@105µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":76,"21+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEGC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:4V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@800V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06D52
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1011pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:3.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:771pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR403EDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45984,"24+":27166}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":760}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA40N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@20A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19894,"23+":2598795,"24+":365085,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21549,"23+":18194}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.3V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: