采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2080KEGC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：4V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2080pF@800V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA40N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP065N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT40N50L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：540W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：571，"19+"：149}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP6030BL
工作温度：-65℃~175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1160pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT40N50L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：540W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@22A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
