包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：18900}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：6036}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0602LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：313W

阈值电压：5V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

输入电容：3.33nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：313W

阈值电压：5V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

输入电容：3.33nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：313W

阈值电压：5V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

输入电容：3.33nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：313W

阈值电压：5V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

输入电容：3.33nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：313W

阈值电压：5V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

输入电容：3.33nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：18900}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：3850，"23+"：24882}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：3850，"23+"：24882}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{}

规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF

功率：313W

输入电容：3.33nF@400V

类型：1个N沟道

栅极电荷：79nC@10V

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：5V@1mA

ECCN：EAR99

导通电阻：70mΩ@10V，20A

连续漏极电流：40A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"23+"：6036}

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSZ0602LSATMA1

功率：69W

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

漏源电压：80V

阈值电压：1.7V

导通电阻：7.4mΩ

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：4898}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：4898}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：313W

阈值电压：5V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

输入电容：3.33nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：4898}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：20250}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：266W

阈值电压：4V@3.9mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：80nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.75nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1