采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
功率：30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN50EPEX
功率：560mW€6.25mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN50EPEX
功率：560mW€6.25mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG30P03-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.05nF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：122404，"14+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2810T1L-E2-AY
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6963}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2716AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：7mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2717AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
输入电容：3.55nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ030P03HZGTR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：122404，"14+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2810T1L-E2-AY
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN50EPEX
功率：560mW€6.25mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG30P03-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.05nF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6963}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2716AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：7mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN50EPEX
功率：560mW€6.25mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ030P03HZGTR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP3401-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：954pF@0V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP3401-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：954pF@0V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ463A-T1-AT
阈值电压：1.7V@10μA
ECCN：EAR99
输入电容：5nF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：13Ω@10mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6963}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2716AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
输入电容：3nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：7mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
