品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB14R0EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:227pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP012-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€32W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:8.9A€38.8A
类型:P沟道
导通电阻:12.8mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP012-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€32W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:8.9A€38.8A
类型:P沟道
导通电阻:12.8mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP015-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€16W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:8A€24.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.8mΩ@8.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP015-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€16W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:8A€24.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.8mΩ@8.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP015-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€16W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:8A€24.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.8mΩ@8.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3020LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1802pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP012-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€32W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:8.9A€38.8A
类型:P沟道
导通电阻:12.8mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP012-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€32W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:8.9A€38.8A
类型:P沟道
导通电阻:12.8mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB14R0EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:227pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: