品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKVYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:12A€17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8013S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@15V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.4mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2805}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC150N03LDGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3035LWN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:399pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":1832}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO350N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@6µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€4.3W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:15.7A€100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7200
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW€900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:6A€8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD4N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO150N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKSH
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ350DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€16.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:18.5A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3035LWN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:399pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7608S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1510pF@15V
连续漏极电流:12A€15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4995}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD175XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:390mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:225mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4915}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.29W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9421}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: