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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    功率: 2W
    当前匹配商品:800+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9952TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.5A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 APM4953 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 APM4953 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APM4953

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订1620个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订1620个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G 起订639个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G 起订639个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9362TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9362TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9362TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9358TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9358TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9358TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1740pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:16.3mΩ@9.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4925DCS RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4925DCS RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7303TRPBFXTMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7303TRPBFXTMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7303TRPBFXTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMC1300R2 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMC1300R2 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2500,"04+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMC1300R2

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@20V

    连续漏极电流:2.2A€1.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7303TRPBFXTMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7303TRPBFXTMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7303TRPBFXTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订681个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订681个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7328TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2675pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPL6327HTSA1 起订1832个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPL6327HTSA1 起订1832个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":666789}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4925DCS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4925DCS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4807 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4807 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4807

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N67NU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N67NU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N67NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:39.1mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7328TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2675pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:725pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2792AGR-E1-AT 起订337个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2792AGR-E1-AT 起订337个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":107226}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2792AGR-E1-AT

    功率:2W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:2.2nF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:12.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7316TRPBF 起订12000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7316TRPBF 起订12000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7316TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:725pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7316TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7316TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7316TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M6HZGTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M6HZGTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8M6HZGTB

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@5V€3.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V€230pF@10V

    连续漏极电流:5A€3.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:51mΩ@5A,10V€90mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":127500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7319TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7319TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7319TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2716AGR-E1-AT 起订376个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2716AGR-E1-AT 起订376个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":6963}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2716AGR-E1-AT

    功率:2W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    输入电容:3nF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:7mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9358TRPbF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9358TRPbF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9358TRPbF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1740pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:16.3mΩ@9.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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