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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9952TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APM4953
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：5.3A
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1847}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9362TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9358TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：16.3mΩ@9.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：179696，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7328TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2675pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：666789}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4807
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：179696，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7328TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2675pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7316TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：605pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7316TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7319TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9358TRPbF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：16.3mΩ@9.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9389TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.3V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@15V
连续漏极电流：6.8A€4.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4807
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL6372TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17.9mΩ@8.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
