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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:800+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNEZ 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNEZ 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCB60XNEZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:4.3A

    类型:MOSFET

    导通电阻:55mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNEZ 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNEZ 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCB60XNEZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:4.3A

    类型:MOSFET

    导通电阻:55mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G50N03K 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G50N03K 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G50N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48W

    阈值电压:1.45V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5AT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:65A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.8mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMZB420UN,315 起订3562个装
    NXP Mosfet场效应管 PMZB420UN,315 起订3562个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":20746,"13+":46006,"15+":50000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB420UN,315

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:980pC@4.5V

    输入电容:65pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:490mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX300UNEZ 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX300UNEZ 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):15000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX300UNEZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:820mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:250mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W€3.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:72A€21A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:9A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3406_R1_00001 起订6000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3406_R1_00001 起订6000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3406_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX300UNEZ 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX300UNEZ 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):15000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX300UNEZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:820mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:250mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Sanyo Denki Mosfet场效应管 NTMFS4922NET1G 起订361个装
    Sanyo Denki Mosfet场效应管 NTMFS4922NET1G 起订361个装

    品牌:Sanyo Denki

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4922NET1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69.44W€930mW

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76.5nC@10V

    输入电容:5.505nF@15V

    连续漏极电流:147A€17.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 MCG30P03-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG30P03-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG30P03-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:32W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.05nF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660DC

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.17nF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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