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    行业应用
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    漏源电压: 30V
    工作温度: -55℃~+150℃
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    商品信息
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    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3481C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:70pF@15V

    导通电阻:37mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3ENX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:914pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LDT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:670mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN010-30QLJ 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN010-30QLJ 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN010-30QLJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:28A€10.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-13 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-13 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V

    栅极电荷:3.5nC

    连续漏极电流:2.7A

    类型:MOSFET

    导通电阻:60mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NS 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NS 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NS

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:30W

    阈值电压:1.2V

    栅极电荷:13nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:63A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:25A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020UFDB-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020UFDB-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    输入电容:383pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNEZ 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCB60XNEZ 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCB60XNEZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:4.3A

    类型:MOSFET

    导通电阻:55mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSI 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NSI 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NSI

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:16.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:100A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订36个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订36个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G170P03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:1.805nF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:207pF@15V

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03S2 起订16个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03S2 起订16个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G170P03S2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:1.786nF@4.5V

    连续漏极电流:9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:25mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G100N03D5 起订13个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G100N03D5 起订13个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G100N03D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:5.595nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:659pF@50V

    导通电阻:2.5mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8405_R1_00001 起订48个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8405_R1_00001 起订48个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8405_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:137pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:390mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL316C H6327 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL316C H6327 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL316C H6327

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.6V€1.5V

    栅极电荷:600pC€2.4nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:1.4A€1.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:160mΩ€150mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN018-30QLJ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXN018-30QLJ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXN018-30QLJ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:10.9W€1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:7.5A€19.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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