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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：122pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
连续漏极电流：1A
功率：350mW€6.25W
类型：1个P沟道
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：2nC@10V
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，1.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：2nC@10V
输入电容：87pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，1.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：342mW
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：1.65nC@4.5V
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.5pF@15V
导通电阻：212mΩ@4.5V，900mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
